Ebben a dolgozatban egy TCAD alapú matematikai és fizikai modellezési környezet kerül bemutatásra elektrolittal kontrollált, szerves félvezetőt alkalmazó vékonyréteg tranzisztorok (EGOTFT; Electrolyte Gated Organic Thin-Film Transistor) viselkedésének kiszámításához. A TCAD implementáció miatt a modell széles paramétertartományban numerikusan stabil, gyorsan számítható, a szoftverbe épített elektronikai és optikai modellekkel pedig könnyen bővíthető.

Ez a keretrendszer elég általánosnak bizonyult ahhoz, hogy reprodukálja háromféle EGOTFT alapú bioszenzor transzfer karakterisztikáját. Ezek a szenzorok (1) KCl koncentrációt (2) pH-t és (3) a félvezető felszínére történő fehérjekötést képesek mérni. Az utóbbi megvalósításához a szenzor mPEG-Biotinnal lett funkcionalizálva, amihez CaptAvidin fehérje molekula köthető. A környezet validálásához használt szenzorok poli(3-hexiltiofén) félvezető műanyaggal készültek, és mind valamilyen alacsony gyártási költségú, eldobható bioszenzor kifejlesztésére irányuló kutatás során készültek. A modell a lineáris tartományban jól reprodukálja a transzfer görbéket, de a nemlineáris tartományban a bekapcsolási drain áramot alul becsüli. Feltehetően egy kifinomultabb modell ezt a diszkrepanciát is megszüntetné. A transzfer görbékkel együtt az elektrolit-félvezető határon létrejött elektromos kettős réteg kapacitása is jó közelítéssel illeszkedik a mért adatokhoz, ami a modellek egyszerűségét tekintve figyelemre méltó. Ezzel a keretrendszerrel megfelelően részletes modellt építve a jövőben lehetővé válhat új eszközök tervezése vagy a bennük zajló fizikai folyamatok tanulmányozása.